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Dual, SiGe High-Linearity, 3000MHz to
4000MHz Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, V CC = +5.0V , LO is low-side injected for a 350MHz IF, P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, T C =+25°C, unless
otherwise noted.)
50
45
40
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
50
45
40
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
50
45
40
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
35
T C = -30 ° C, +25 ° C, +85 ° C
35
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
35
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
30
30
30
3000
3200
3400 3600 3800
4000
3000
3200
3400 3600 3800
4000
3000
3200
3400 3600 3800
4000
0
-10
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
T C = -30 ° C
0
-10
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
0
-10
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
-40
-50
-60
T C = +25 ° C, +85 ° C
-30
-40
-50
-60
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-30
-40
-50
-60
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
2600
2800
3000 3200 3400
3600
2600
2800
3000 3200 3400
3600
2600
2800
3000 3200 3400
3600
40
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
40
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
40
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
30
T C = +85 ° C
T C = +25 ° C
30
30
20
10
T C = -30 ° C
20
10
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
20
10
3000
3200
3400 3600 3800
4000
3000
3200
3400 3600 3800
4000
3000
3200
3400 3600 3800
4000
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
8
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